新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本。

奈梅亨，2021年8月4日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。

ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数，以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET将Nexperia的最新硅技术与铜夹片封装结构相结合，显著增强安全工作区（SOA）并最大限度缩小PCB面积。

以前，MOSFET深受Spirito效应的影响，导致SOA性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。Nexperia坚固耐用的增强型SOA技术消除了“Spirito-knee”，与前几代D2PAK相比，在50 V时SOA增加了166%。

另一项重要改进是数据手册中添加了125 °C SOA特性。Nexperia国际产品高级营销经理Mike Becker表示：“以前只在25 °C时指定SOA，这意味着在高温环境中的操作，设计师必须进行降额。我们的新款热插拔ASFET包括125 °C SOA规范，消除了该耗时的任务，并证实了Nexperia的器件即使在高温下也具有出色的性能。”

全新PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）热插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封装。该封装独特的内部铜夹片结构提高了热性能与电气性能，同时大大减小了管脚尺寸。 全新的LFPAK56E产品尺寸仅为5 mm x 6 mm x 1.1 mm，与上一代D2PAK相比，PCB管脚尺寸和器件高度分别缩小80%和75%。此外，器件的最大结温为175 °C，符合IPC9592对电信和工业应用的规定。

Becker补充道：“另外一个优点是在需要多个热插拔MOSFET并联使用的高功率应用中，使均流能力得到改善，从而提高了可靠性并降低了系统成本， Nexperia被广泛认为是热插拔MOSFET市场领导者。凭借这些最新的ASFET，我们再一次提高了标准。”

新款热插拔ASFET是最新器件，将在Nexperia位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产厂制造，已准备好批量生产。