用于NMOS的驱动电路图及工作原理详解 这个电路提供了如下的特性：

1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3，gate电压的峰值限制

4，输入和输出的电流限制

5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

电路图如下：  

该电路图显示了一个NMOS驱动电路的基本结构。其中的主要元件包括：

1. NMOS晶体管：在电路图中表示为竖直的直线。栅极G连接到信号源，漏极D连接到负载如电阻、电感或负载器件，源极S连接到地GND。
2. 电源Vdd：表示提供电路所需的电压。通常为正电压。
3. 负载：表示需要驱动的负载器件，例如电机、灯泡等。负载连接到NMOS的漏极。
4. 地GND：表示电路的接地。

当输入信号施加在NMOS的栅极上时，当信号为高电平时与Vdd相当，NMOS将导通，使得电流通过负载，负载器件开始工作。当信号为低电平时，NMOS将截断，负载上的电流停止。

需要注意的是，以上是一个简化的NMOS驱动电路图，实际应用中可能会包含其他元件和电路配置，以满足具体的需求和保护电路。